2600B系列系统数字源表源测量单元(SMU)仪表是业界一流的电流/电压源 与测量解决方案,它是利用吉时利第三代源测量单元(SMU)技术建造的。
2600B 系列产品包括单通道和双通道型号,集成了高精密电源、真正电流源、6位半数字多用表(DMM)、任意波形发生器、脉冲发生器以及电子负载等功能——这些功能都在一个高度集成的仪器机箱内。这是一个功能强大的解决方案,大大提高了从台式 I/V特性分析道高度自动化生产测试等各种应用中的测试效率。
对于台式应用,2600B系列数字源表内置基于Java的测试软件,支持即插即用I/V测试,可以通过世界各地任何计算机浏览器运行。对于自动化系统应用,2600B系列数字源表的测试脚本处理器(TSP),可以运行仪器内存储的完整测试程序,实现业界最佳的吞吐量。
在更大型的多通道应用中,吉时利的TSP-Link技术与TSP协同工作,实现了高度、SMU-per-pin并行测试。由于2600B系列数字源表源测量单元(SMU)仪表具有不需要主机的、完全隔离的通道,因此,可以根据测试应用需求的进展,很容易进行重新配置和重新部署。
分立和无源元件
– 两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属 氧化物可变电阻(MOV)、二极管、齐纳二极 管、电容、热敏电阻
– 三抽头器件——小信号双极结型晶体管(BJT)场效应晶体管(FET),等等
简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感 器、转换器、稳压器
集成器件——小规模集成(SSI)和大规模集成(LSI) – 模拟IC
– 射频集成电路(RFIC)
– 专用集成电路(ASIC)
– 片上系统(SOC)器件
光电器件,例如发光二极管(LED)、激光二极管高亮度LED(HBLED)、垂直腔面发射激光器 (VCSEL)、显示器
圆片级可靠性
– NBTI、TDDB、HCI、电迁移
太阳能电池
电池
2604B/2614B型仪表的背板
(单通道2601B, 2611B, 2635B没有给出)。
2636B型仪表的背板
在第一和第三象限,2600B系列仪器用作信号源,向负载提供 电源。在第二和第四象限,2600B系列仪器用作信号宿,内部 消耗功率。
2601B、2602B和2604B的I-V测试功能
2611B、2612B和2614B的I-V 测试功能
2634B、2635B和2636B的I-V 测试功能
量程 | 默认显示 分辨率 18 | 输入电阻 | 精度(1年) 23°C ±5° C ±(% rdg. + 伏特数) |
100 mV | 100 nV | >10 GΩ | 0.015% + 15 0μV |
1 V | 1 μV | >10 GΩ | 0.015% + 20 0 μV |
6 V | 10 μV | >10 GΩ | 0.015% + 1 mV |
40 V | 10 μV | >10 GΩ | 0.015% + 8 mV |
温度系数(0°–18°C & 28°–50°C)19:±(0.15×精度指标)/°C。仅适用于 普通模式,不适用于高电容模式。
量程 | 默认显示分辨率 20 | 电压负荷 21 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 安培数) |
100 nA | 100 fA | <1 mV | 0.05% + 100 pA |
1 µA | 1 pA | <1 mV | 0.025% +500 pA |
10 µA | 10 pA | <1 mV | 0.025% + 1.5 nA |
100 µA | 100 pA | <1 mV | 0.02% + 25 nA |
1 mA | 1 nA | <1 mV | 0.02% + 200 nA |
10 mA | 10 nA | <1 mV | 0.02% + 2.5 µA |
100 mA | 100 nA | <1 mV | 0.02% + 20 µA |
1 A | 1 µA | <1 mV | 0.03% + 1.5 mA |
3 A | 1 µA | <1 mV | 0.05% + 3.5 mA |
10 A 22 | 10 µA | <1 mV | 0.4% + 25 mA (典型值) |
电流测量稳定时间(在V 之后测量稳定的时间)23: 在固定量程上处理电源设 step 命令后达到最终值0.1%所需的时间。Vout=1V,除非另行说明。电流量程:1mA。 out 时间:<100μs(典型值)。
温度系数(0°–18°C & 28°–50°C)24: ±(0.15×精度指标)/°C。仅适用普通模式,不适用于高电容模式。
速度 | 60Hz(50Hz)下到 存储器的最大测量时间 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 欧姆数) |
FAST | 1 (1.2) ms | 5% + 10Ω |
MEDIUM | 4 (5) ms | 5% + 1 Ω |
SLOW | 36 (42) ms | 5% + 0.3Ω |
最大负载阻抗:
普通模式:10nF(典型值)。
高电容模式:50μF(典型值)
共模电压:250VDC。
共模隔离度:>1GΩ,<4500pF
过量程:101%的电源量程,102%的测量量程
最大检测引线电阻:额定精度为1kΩ。
检测输入阻抗:>10GΩ
16. 对于源精度指标的HI引线压降每伏要增加50μV。
17 .对于NPLC设置<1,要通过增加误差项降低精度指标。根据下表适当 增加量程值的百分比。
NPLC设置 | 100mV 量程 | 1V–40V 量程 | 100nA 量程 | 1µA–100mA 量程 | 1A–3A 量程 |
0.1 | 0.01% | 0.01% | 0.01% | 0.01% | 0.01% |
0.01 | 0.08% | 0.07% | 0.1% | 0.05% | 0.05% |
0.001 | 0.8% | 0.6% | 1% | 0.5% | 1.1% |
18. 适用于单通道显示模式。
19. 高电容模式精度仅适用于23°C±5°C。
20. 适用于单通道显示模式。
21. 四线远端检测仅适用于所选的电流表模式。电压测量只能设置为100mV或1V量程。
22. 10A量程仅适用于脉冲模式。
23. 柔度等于100mA。
24. 高电容模式精度仅适用于23°C±5°C。
25. 包括测量SENSE HI到HI和SENSE LO到LO的接触电阻